您當前的位置: 新聞中心
-
202212-24快訊|奧趨光電成功制備出高質量3英寸氮化鋁單晶核心提示：半導體產業網訊：近期，奧趨光電成功實現了氮化鋁（AlN）晶體從2英寸到3英寸的迭代擴徑生長（見圖一），制備出了直徑達76 mm的鋁 -
202212-16OPT（奧普特）工控機新品上市，產品矩陣再擴大核心提示：OPT（奧普特）發布工控機新品，進一步擴展產品矩陣，為制造業數字化轉型提供更為全面的機器視覺產品和服務。 -
202212-03Manz亞智科技板級封裝突破業界最大生產面積完美應對產能、成本雙挑戰核心提示：活躍于全球并具有廣泛技術組合的高科技設備制造商Manz 集團，掌握全球半導體先進封裝趨勢，加速開發新一代專利垂直電鍍生產設備 -
202211-26中鎵半導體：挑戰最高GaN體電阻率，開發更高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底核心提示：半導體產業網訊：近日，中鎵半導體與北京大學、波蘭國家高壓實驗室開展了合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN -
202211-19中科院化學研究所發現碳家族單晶新材料核心提示：半導體產業網訊：碳是我們這個星球上最重要的元素之一，碳原子具有極輕的原子質量和極強的共價鍵。碳是元素周期表中最多樣化的元 -
202211-11中科院微電子所研制高功率密度5結級聯905nm VCSEL核心提示：據麥姆斯咨詢報道，近日，中國科學院微電子研究所的研究人員在《物理學報》期刊上發表了題為高功率密度多結級聯905nm垂直腔面發 -
202211-03碳化硅單晶薄膜制備技術及集成光子應用技術進展核心提示：近日，美國物理聯合會(American Institute of Physics)旗下的著名期刊《應用物理評論》（Applied Physics Reviews）在線發表了上 -
202210-30中國科大在二維鐵電Rashba半導體材料中取得新進展核心提示：近日，中國科學技術大學化學物理系楊金龍教授課題組胡偉團隊在二維鐵電Rashba材料領域取得進展，研究成果以題為High-Throughput -
202210-25朗行天下，從芯出發丨杭州朗迅科技股份有限公司創立大會暨第一次股東大會圓滿召開 -
202210-21金剛石物理性能調控研究進展核心提示：近日，來自香港城市大學、上海大學、格羅寧根大學和南方科技大學等校的研究團隊在金剛石物理性能調控研究領域取得了重要進展。首